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J-GLOBAL ID：200903071473502135

配線形成方法

Inventor： 宮本 孝章
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993190120
Publication number (International publication number)：1995041948
Application date： Jul. 30, 1993
Publication date： Feb. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ECRプラズマCVD法により、微細なコンタクト・ホール内でもコンフォーマルなTi膜を成膜し、安定したバリヤメタル成膜を行う。【構成】 TiCl4 /H2 流量比を0.4以上に設定する。この条件により、蒸気圧からみた反応生成物と副生成物の量的バランスが最適化されてTi結晶核の粒状成長が抑制され、微細なコンタクト・ホール3の内部でもコンフォーマルなTi膜4cが成膜される。この上に連続して成膜されるTiN膜5cはこのTi膜4cの膜性状を引き継ぐため、やはりコンフォーマルに形成できる。【効果】 コンタクト・ホール3の底コーナー部においてクラックを発生することなく、均一なバリヤメタルが形成できるので、上層配線膜6による均一なホール埋め込みが可能となり、低抵抗でリーク電流が少なく信頼性の高いコンタクトが形成できる。

Claim (excerpt)：

ECRプラズマCVD法によりIVa族元素のハロゲン化物ガスをH2 で還元しながらIVa族元素の薄膜を基板上に形成する配線形成方法において、前記IVa族元素のハロゲン化物ガスとH2 との流量比を0.4以上とすることを特徴とする配線形成方法。

IPC (5)：

C23C 16/14 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 C