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J-GLOBAL ID：200903071489626217

化学蒸着により少なくとも1つの基板の表面に膜を生成する方法及び装置

Inventor： ローラント ルツプ ,  ヨハネス フエルクル
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 富村 潔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997159185
Publication number (International publication number)：1998068079
Application date： Jun. 02, 1997
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】少なくとも1つの基板の表面にCVD法により膜を生成するための方法及び装置を得る。【解決手段】CVDプロセスにおいて少なくとも900°Cに保たれる基板2の表面20にプロセスガス流5が導かれる。このプロセスガス流から基板2に膜6が堆積される。プロセスガス流は重力Gに対して少なくともほぼ逆平行に向けられている。

Claim (excerpt)：

a)少なくとも1つの基板(2)の表面(20)に少なくとも900°Cの析出温度(T2 )が設定され、b)プロセスガス流(5)がこの析出温度(T2 )より低い温度(T1 )にある空間領域(22)から基板(2)の表面(20)に導かれ、c)基板(2)の表面(20)に化学蒸着(CVD)によりプロセスガス流(5)から膜(6)が析出され、d)プロセスガス流(5)が少なくとも基板(2)の表面(20)に当たる直前に重力(G)に対して少なくともほぼ逆平行に向けられることを特徴とする化学蒸着により少なくとも1つの基板の表面に膜を生成する方法。

IPC (5)：

C23C 16/44 ,  C30B 25/14 ,  C30B 29/36 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205

FI (6)：

C23C 16/44 D ,  C23C 16/44 H ,  C30B 25/14 ,  C30B 29/36 A ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205