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J-GLOBAL ID：200903071503663341

多孔質半導体

Inventor： 河合 千尋
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (4)： 酒井 正己 ,  加々美 紀雄 ,  小松 純 ,  小松 秀岳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002292534
Publication number (International publication number)：2004128331
Application date： Oct. 04, 2002
Publication date： Apr. 22, 2004
Summary：

【課題】殺菌や有機物分解を極めて効率よく行うことができる濾過フィルターを提供する。特に発光効率が大きい多孔質半導体を用いた濾過フィルターを提供する。【解決手段】多孔質基材とその上に形成された多孔質半導体膜からなる多孔質半導体であって、多孔質半導体膜が、多孔質基材に対して垂直に成長した第一の柱状体と、該第一の柱状体の表面を起点として任意の方向に成長した第二の柱状体、さらにはその第二の柱状体の表面を起点として任意の方向に成長した第三の柱状体、さらにはこれを繰り返して第n番目(nは2以上の整数)の柱状体からなる、フラクタル構造を持つことを特徴とする多孔質半導体。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

多孔質基材とその上に形成されたエレクトロルミネッセンス、カソードルミネッセンスまたはフォトルミネッセンスによる発光機能を有する多孔質半導体膜からなる多孔質半導体であって、該多孔質半導体膜が、多孔質基材に対してほぼ垂直に成長した第一の柱状体と、該第一の柱状体の表面を起点として任意の方向に成長した第二の柱状体とからなるフラクタル構造を持つことを特徴とする多孔質半導体。

IPC (8)：

H01L33/00 ,  A61L2/10 ,  A61L9/16 ,  A61L9/20 ,  B01D39/14 ,  B01D39/20 ,  B01J35/02 ,  C02F1/32

FI (9)：

H01L33/00 A ,  H01L33/00 C ,  A61L2/10 ,  A61L9/16 F ,  A61L9/20 ,  B01D39/14 Z ,  B01D39/20 D ,  B01J35/02 J ,  C02F1/32

F-Term (39)：

4C058AA01 ,  4C058BB06 ,  4C058CC06 ,  4C058EE26 ,  4C058KK02 ,  4C058KK11 ,  4C080AA10 ,  4C080BB02 ,  4C080BB05 ,  4C080BB06 ,  4D019AA01 ,  4D019AA03 ,  4D019BA05 ,  4D019BA20 ,  4D019BB08 ,  4D019BC20 ,  4D019CB06 ,  4D037AA01 ,  4D037AA11 ,  4D037AB03 ,  4D037AB04 ,  4D037BA18 ,  4D037CA02 ,  4D037CA04 ,  4G069AA01 ,  4G069AA08 ,  4G069CA01 ,  4G069CA11 ,  4G069EA08 ,  4G069FB23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA57 ,  5F041CA67 ,  5F041CA85 ,  5F041CA93 ,  5F041CB11 ,  5F041CB25 ,  5F041FF16