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J-GLOBAL ID：200903071505610830

化合物半導体薄膜の製造方法

Inventor： 井上 浩伸 ,  北川 雅俊 ,  根上 卓之
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001011657
Publication number (International publication number)：2002217213
Application date： Jan. 19, 2001
Publication date： Aug. 02, 2002
Summary：

【要約】【課題】 IB族元素と、IIIB族元素としてInおよびGaと、VIB族元素とを含み、その膜厚方向におけるGa分布の均一性が良好な化合物半導体薄膜を製造するための方法を提供する。【解決手段】 スパッタリング法を用いて、Inを含む第1層21と、CuおよびGaを含む第2層22と、Cuを含む第3層23とが順次積層してなる前駆体薄膜20を基板10上に形成した後、Seを含む雰囲気中で前記前駆体薄膜20を熱処理して、Cu(In,Ga)Se2薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

IB族元素、IIIB族元素およびVIB族元素を含み、前記IIIB族元素がInおよびGaを含む化合物半導体薄膜の製造方法であって、スパッタリング法を用いて基板に原料元素を供給し、前記基板上に少なくとも前記IB族元素、InおよびGaを含む前駆体薄膜を形成する工程と、前記前駆体薄膜に前記VIB族元素を供給しながら、前記前駆体薄膜を熱処理する工程とを含み、前記前駆体薄膜を形成する工程は、前記基板にInおよび前記IB族元素から選ばれる少なくとも一方を供給する第1工程と、この第1工程の後に前記基板に前記IB族元素およびGaを供給する第2工程と、この第2工程の後に前記基板にInおよび前記IB族元素から選ばれる少なくとも一方を供給する第3工程とを有することを特徴とする化合物半導体薄膜の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/363 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01L 21/363 ,  H01L 31/04 E

F-Term (17)：

5F051AA10 ,  5F051CB14 ,  5F051CB15 ,  5F051GA03 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103BB32 ,  5F103BB33 ,  5F103BB42 ,  5F103DD30 ,  5F103HH04 ,  5F103LL20 ,  5F103NN01 ,  5F103NN04 ,  5F103NN05 ,  5F103PP03 ,  5F103RR06