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J-GLOBAL ID：200903071511158907

SOI基板及びその製造方法

Inventor： 片山 正健 ,  小林 裕之
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 早川 政名 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998370876
Publication number (International publication number)：2000196047
Application date： Dec. 25, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 膜厚が均一なSOI層及び高濃度不純物層を有する貼り合わせSOIウェーハの提供及びその貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 同一ウェーハの同一表面側から不純物イオンの注入と水素イオンまたは希ガスイオンの注入を深さを変えて行ない、剥離熱処理を行って水素イオンまたは希ガスイオンが注入された領域で剥離することにより、膜厚均一性に優れたSOI層及び高濃度不純物層を有する貼り合わせSOIウェーハを作製する。

Claim (excerpt)：

埋め込み酸化膜上に高濃度不純物層を有する貼り合わせSOIウェーハであって、前記高濃度不純物層の厚さが0.1〜0.2μmであり、且つ不純物のピーク濃度が1×1018 atoms/cm3以上であることを特徴とする貼り合わせSOIウェーハ。

IPC (3)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/265

FI (3)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/265 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-080939   Applicant：三菱電機株式会社
• SOI基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-321158   Applicant：信越半導体株式会社
• SOI基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-139031   Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社