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J-GLOBAL ID：200903071518902245

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 古川 泰助 ,  米田 喜和 ,  林 正美 ,  川間 吉竜 ,  今田 勝大 ,  池田 龍彦
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001154127
Publication number (International publication number)：2002353229
Application date： May. 23, 2001
Publication date： Dec. 06, 2002
Summary：

【要約】【課題】 HBTの動作特性を悪化させることなく、ベース引出領域の低抵抗化を図ることにより、HBTの動作特性をさらに良好なものとする、半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 開口部7Aにおいて窒化膜7の側壁に達するまで開口部6Aからせり出すように設けられるn-型シリコン層8およびn+型シリコン層8aを有する。さらに、n-型シリコン層8およびn+型シリコン層8aの上に、窒化膜7の表面において横方向に引出されるp型の多結晶のシリコンゲルマニュウム膜9B、およびこのシリコンゲルマニュウム膜9Bの表面に多結晶のシリコン膜10Bを有する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面に設けられた第1導電型の単結晶シリコン層と、前記単結晶シリコン層において選択的に設けられた第1導電型の活性領域と、前記活性領域に通じる第1開口部を有し、前記単結晶シリコン層の表面を覆う第1絶縁層と、前記第1絶縁層の表面に設けられ、前記第1開口部を含むように前記第1開口部よりも大きい第2開口部を有する第2絶縁層と、前記第1開口部を埋めるとともに、前記第2開口部において第2絶縁層の開口部側壁に達するまで前記第1開口部からせり出すように設けられる第1導電型の単結晶半導体層と、前記単結晶半導体層の表面に設けられた第2導電型の第1単結晶半導体層と、前記第2絶縁層の表面に形成され、前記第1単結晶半導体層と連続して設けられる第2導電型の第1多結晶半導体層と、第1単結晶半導体層の表面に設けられた第2単結晶半導体層と、第1多結晶半導体層の表面に形成され、前記第2単結晶半導体層と連続して設けられる第2多結晶半導体層と、前記第2単結晶半導体層に設けられ、前記第1単結晶半導体層と接続する第1導電型の不純物拡散層と、を備える半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/737

F-Term (23)：

5F003BB05 ,  5F003BB06 ,  5F003BB07 ,  5F003BB08 ,  5F003BC02 ,  5F003BC08 ,  5F003BE07 ,  5F003BE08 ,  5F003BF03 ,  5F003BF06 ,  5F003BF10 ,  5F003BG03 ,  5F003BG06 ,  5F003BH06 ,  5F003BH07 ,  5F003BH18 ,  5F003BH93 ,  5F003BM01 ,  5F003BP32 ,  5F003BP33 ,  5F003BP34 ,  5F003BS06 ,  5F003BS08