Pat

J-GLOBAL ID：200903071520097139

半導体温度センサ

Inventor： 嵯峨 良平
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立東部セミコンダクタ株式会社
Agent (1)： 大日方 富雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996046222
Publication number (International publication number)：1997243466
Application date： Mar. 04, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】 低消費電流化に適したMOSトランジスタでもって、製造バラツキが少なくて再現性および精度にすぐれ、とくに常温(25°C)に対して±75°C程度という一般使用頻度が高い範囲で、良好な精度を得ることができる半導体温度センサおよびその応用装置を実現する。【構成】 MOSトランジスタのβ(電圧利得)を電圧に変換して取り出すようにしたβ電圧変換回路を構成し、このβ電圧回路の出力を温度センス出力として利用する。

Claim (excerpt)：

MOSトランジスタのβ(電圧利得)を電圧に変換して取り出すようにしたβ電圧変換回路を構成し、このβ電圧変換回路の出力を温度センス出力とすることを特徴とする半導体温度センサ。

IPC (3)：

G01K 7/01 ,  H01L 23/58 ,  H02J 7/10

FI (3)：

G01K 7/00 391 M ,  H02J 7/10 L ,  H01L 23/56 D