Pat

J-GLOBAL ID：200903071538744026

半導体発光素子、及びその製造方法

Inventor： 山本 雅裕 ,  藤本 英俊 ,  国分 義弘 ,  石川 正行 ,  斎藤 真司 ,  西川 幸江 ,  ジョン・レニー
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995235802
Publication number (International publication number)：1996330628
Application date： Sep. 13, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【課題】発光効率等の特性に優れた発光素子を提供する。【解決手段】六方晶系の基板(11)上に、平行四辺形の半導体層(12)を形成する。この平行四辺形は、その辺が<11-20>方向と平行である。基板(11)をこの平行四辺形の辺に沿って切断する。

Claim (excerpt)：

六方晶系の単結晶基板と、この単結晶基板上に積層された化合物半導体層と、この化合物半導体層に接する電極とを備えた半導体発光素子において、前記単結晶基板及び化合物半導体層がそれぞれ多角形の平面形状を有し、この多角形の内角のうち少なくとも1つが(60 ゚±3°)×n(nは自然数)であることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (5)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/301 ,  H01S 3/18

FI (5)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/31 C ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/78 R

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体レーザ素子及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-041583   Applicant：株式会社日立製作所

Cited by examiner (1)

• 半導体レーザ素子及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-041583   Applicant：株式会社日立製作所