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J-GLOBAL ID：200903071541520678

接点の性能を向上させる方法および半導体素子

Inventor： ピーター エス.マッカナリー ,  ジェフリー アラン マッキー ,  ダーク ノエル アンダーソン
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997370141
Publication number (International publication number)：1998189736
Application date： Dec. 22, 1997
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 自己整合接点構造におけるエッチングにおける選択性を高め性能の向上を図る自己整合接点の形成方法を提供する。【解決手段】 基板(12)を覆う停止層(110)を用いて、半導体素子(100)の基板(12)に対する自己整合接点(122)を形成する。停止層(110)は、シリコン濃厚窒化物、シリコン濃厚酸化物、炭素濃厚窒化物、シリコン・カーバイド、窒化硼素、有機スピン・オン・ガラス、グラファイト、ダイアモンド、炭素濃厚酸化物、窒化酸化物、および有機ポリマから成る群から選択された物質から成る。かかる物質を用いることにより、停止層(110)上に形成される絶縁層(112)を除去するエッチング・プロセスにおける選択性を高め、短絡の可能性を低下させることにより半導体素子(100)の高性能化を促進する。

Claim (excerpt)：

半導体素子の基板に接点を形成する方法であって、前記基板を覆う停止層を形成するステップであって、シリコン濃厚窒化物、シリコン濃厚酸化物、炭素濃厚窒化物、シリコン・カーバイド、窒化硼素、有機スピン・オン・ガラス、グラファイト、ダイアモンド、炭素濃厚酸化物、窒化酸化物、および有機ポリマから成る群から選択した物質から成る前記停止層を形成する前記ステップと、前記停止層上に絶縁層を形成するステップと、前記絶縁層の部分をエッチングし、接点領域を規定するステップと、前記接点領域内の前記停止層の部分を除去するステップと、から成ることを特徴とする方法。

IPC (4)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (4)：

H01L 21/90 D ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/306 D