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J-GLOBAL ID：200903071544446983

ホトマスクの修正方法

Inventor： 神保 秀之 ,  宅島 克宏 ,  齋藤 太郎
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994014998
Publication number (International publication number)：1995005677
Application date： Feb. 09, 1994
Publication date： Jan. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 残留欠陥の除去に伴う新たな欠陥を生じることがなく、信頼性の高いホトマスクの修正方法を提供する。【構成】 位相シフトマスクのシフタ残留欠陥部25にGa-FIB26を照射してGaイオンを注入する工程と、そのGaイオン注入領域27にレーザ光28を照射してシフタ残留欠陥部25を蒸発除去する工程とを施す。

Claim (excerpt)：

(a)位相シフトマスクのシフタ残留欠陥部にGa-FIBを照射してGaイオンを注入する工程と、(b)該Gaイオン注入領域にレーザ光を照射して前記シフタ残留欠陥部を蒸発除去する工程とを施すことを特徴とするホトマスクの修正方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (3)：

H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 502 W ,  H01L 21/30 528