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J-GLOBAL ID：200903071544535501

薄膜形成装置

Inventor： 山田 雄一郎 ,  鈴木 直樹 ,  宝珍 隆三 ,  野村 登 ,  矢野 航作 ,  寺井 由佳
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 石原 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992318824
Publication number (International publication number)：1994163417
Application date： Nov. 27, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 基板への薄膜形成後膜表面へのダスト発生や膜特性劣化を防止し、また基板表面の異種材料に起因する下地依存性による膜特性不均一を防止する。【構成】 成膜処理室26で成膜した基板21を有機分子層形成室37に送り込み、有機液体材料を封入した有機液体容器34にバブリングガスを送り込み、有機材料ガス供給管38を介して有機材料ガスとバブリングガスの混合ガスを供給するなどの手段によって有機分子層形成材料を有機分子層形成室37に供給し、基板21上の薄膜表面に疎水性の有機分子層を形成し、薄膜の吸湿を防止し、ダスト発生や膜特性劣化を防止し、また下地依存性を無くす。

Claim (excerpt)：

搬入された基板上に薄膜を形成し又は基板上の薄膜にパターンエッチングを行う処理室を備え、基板表面にシリコン又はゲルマニウムを含む有機分子層を形成する材料を供給する手段を備えた有機分子層形成室を処理室に連結又は隣接して配設したことを特徴とする薄膜形成装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平3-124048
  
• 特開平3-152957
  
• 特開平4-073953
  
• 特開昭61-248431
  
• 特開昭63-241171
  
• 半導体装置の製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-066794   Applicant：川崎製鉄株式会社