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J-GLOBAL ID：200903071553168813

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 橋口 俊哉
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992278631
Publication number (International publication number)：1994132292
Application date： Oct. 16, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ゲッタリング効果が高く、製造が簡便なSOI構造の半導体装置を提供する。【構成】 絶縁膜11上のシリコン単結晶膜12のソース・ドレイン領域12A,12Bの夫々の表面に多結晶シリコン膜(ゲッタリング用)13を形成し、夫々の上にソース電極17A,ドレイン電極17を形成し、多結晶シリコン膜13をソース・ドレイン電極の一部としたことにより有効なゲッタリング効果が得られる。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上のシリコン単結晶膜に形成した半導体装置において、前記シリコン単結晶膜外側面にゲッタリング用欠陥膜を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/322 ,  H01L 29/784

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 特開平4-114433
  
• 特開平3-254158
  
• 特開平2-280380
  
• 特開平2-277246
  
• 特開昭60-220960
  

Cited by examiner (1)

• 特開平4-114433