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J-GLOBAL ID：200903071576487924
回転カソードターゲットとその製造方法および該ターゲットを用いて形成される膜
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
泉名 謙治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993194208
Publication number (International publication number)：1995026373
Application date： Jul. 09, 1993
Publication date： Jan. 27, 1995
Summary：
【要約】【構成】円筒状ターゲットホルダー上にSiを主成分とし、In、Zn、SnおよびGaから選ばれる少なくとも1種の金属のリン化物を含有するターゲット層がプラズマ溶射により形成されるスパッタターゲットとその製造方法および該ターゲット用いて形成される膜。【効果】酸素雰囲気中でのスパッタでも高導電率を有するスパッタターゲットを得られ、大面積の成膜が高速ででき、安定的に低屈折率の透明薄膜を提供できる。
Claim (excerpt)：
円筒状ターゲットホルダー上にアンダコートを形成し、次いで、Siを主成分とし、In、Zn、SnおよびGaからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属のリン化物を0.01〜30wt%含有する粉末を、高温プラズマガス中で半溶融状態にしつつ、このプラズマガスにより該アンダコート上に輸送してターゲット層を形成して製造することを特徴とする回転カソードターゲットの製造方法。
IPC (2)：
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