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J-GLOBAL ID：200903071585276111

窒化物半導体レーザ及びその製造方法

Inventor：
竹間 清文

About 竹間 清文

, 
太田 啓之

About 太田 啓之

, 
田中 利之

About 田中 利之


Applicant, Patent owner：
パイオニア株式会社

About パイオニア株式会社


Agent (1)： 藤村 元彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999128769
Publication number (International publication number)：2000323797
Application date： May. 10, 1999
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：
【要約】【課題】 レーザ構造において高品質な反射鏡面を再現性良く得られる3族窒化物半導体レーザ製造方法を提供する。【解決手段】 活性層を含む3族窒化物半導体(AlxGa1-x)1-yInyN(0≦x≦1,0≦y≦1)からなる結晶層の複数を、下地層(Alx'Ga1-x')1-y'Iny'N(0≦x'≦1,0≦y'≦1)上に、順に積層してなる窒化物半導体レーザの製造方法であって、基板上に成膜された下地層上に結晶層の複数を形成する結晶層形成工程と、基板及び下地層間の界面に向け、基板側から光ビームを照射して、窒化物半導体の分解物領域を形成する光照射工程と、積層された結晶層を担持した下地層を分解物領域に沿って基板から剥離する工程と、下地層を劈開又は裂開し、積層した結晶層の共振用劈開面を形成する工程と、を含む。
Claim (excerpt)：
活性層を含む3族窒化物半導体(AlxGa1-x)1-yInyN(0≦x≦1,0≦y≦1)からなる結晶層の複数を、下地層(Alx'Ga1-x')1-y'Iny'N(0≦x'≦1,0≦y'≦1)上に、順に積層してなる窒化物半導体レーザの製造方法であって、基板上に成膜された下地層上に結晶層の複数を形成する結晶層形成工程と、前記基板及び下地層間の界面に向け、前記基板側から光ビームを照射して、窒化物半導体の分解物領域を形成する光照射工程と、積層された結晶層を担持した前記下地層を前記分解物領域に沿って前記基板から剥離する工程と、前記下地層を劈開又は裂開し、積層した結晶層のレーザ共振器を作るべき劈開面を形成する工程と、を含むことを特徴とする製造方法。
F-Term (4)：
5F073CA17 ,  5F073DA32 ,  5F073DA34 ,  5F073DA35
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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