Pat

J-GLOBAL ID：200903071586777130

タングステン・プラグの形成方法

Inventor： 山口 宜洋
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997302394
Publication number (International publication number)：1999145085
Application date： Nov. 05, 1997
Publication date： May. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】 BlK-Wの膜剥がれを防止した、タングステン・プラグの形成方法を提供する。【解決手段】 本方法は、層間絶縁膜を貫通するタングステン・プラグを形成する方法であって、層間絶縁膜を貫通して基板面を露出させる接続孔が層間絶縁膜に形成されている基板全面に連続して、順次、チタン(Ti)膜及び窒化チタン(TiN)膜を成膜するTi/TiN膜形成工程と、Ti/TiN膜形成工程を経た基板上に窒素プラズマ処理を施して、露出したTi膜を窒化する窒素プラズマ処理工程と、次いで、基板全面にブランケット・タングステン膜をプラズマCVD法により成膜するタングステン膜成膜工程とを備える。

Claim (excerpt)：

層間絶縁膜を貫通して上下の配線層同士又は拡散領域と配線層とを導通させるタングステン・プラグを形成する方法であって、層間絶縁膜を貫通して基板面を露出させる接続孔が層間絶縁膜に形成されている基板全面に、順次、連続してチタン(Ti)膜及び窒化チタン(TiN)膜を成膜するTi/TiN膜形成工程と、Ti/TiN膜形成工程を経た基板上に窒素プラズマ処理を施して、露出したTi膜を窒化する窒素プラズマ処理工程と、次いで、基板全面にブランケット・タングステン膜をCVD法により成膜するタングステン膜成膜工程とを備えることを特徴とするタングステン・プラグの形成方法。