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J-GLOBAL ID：200903071588277909
ダイヤモンドの合成法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
福村 直樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992058726
Publication number (International publication number)：1993263250
Application date： Mar. 17, 1992
Publication date： Oct. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 各種の基板の表面上にグラファイトやDLC(ダイヤモンド状炭素質)等の不要な不純物の少ない高品質のダイヤモンドを、高いダイヤモンド初期核発生密度をもって効率よく形成し、しかも基板に対する密着性の優れた高品質のダイヤモンドを容易に量産することができる等の利点を有するダイヤモンドの合成法を提供することを目的とする。【構成】 この発明は、基板に傷付処理を施す工程と、負のバイアス電圧を印加しつつ炭素含有化合物のプラズマで基板を処理する工程とを行なった後、前記基板上に気相法によりダイヤモンドを形成させることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
基板に傷付処理を施す工程と、負のバイアス電圧を印加しつつ炭素含有化合物のプラズマで基板を処理する工程とを行なった後、前記基板上に気相法によりダイヤモンドを形成させることを特徴とするダイヤモンドの合成法。
IPC (4)：
C23C 16/02
, C23C 16/26
, C23F 4/00
, C30B 29/04
