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J-GLOBAL ID：200903071611090471
半導体加速度センサの温度補償方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
石田 長七 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995327713
Publication number (International publication number)：1997166619
Application date： Dec. 15, 1995
Publication date： Jun. 24, 1997
Summary：
【要約】【課題】調整工程を簡略化するとともに信頼性を向上させた半導体加速度センサの温度補償方法を提供する。【解決手段】ブリッジ回路1では、4個のピエゾ抵抗素子R1 〜R4 がブリッジ状に接続されている。第1及び第2の零点補償用抵抗RS1,RS2は、ピエゾ抵抗素子R1 ,R4 に夫々直列に予め接続されている。また、第1及び第2の零点温度補償用抵抗RP1,RP2は、ピエゾ抵抗素子R2 ,R3 に夫々並列に予め接続されている。さらに、スパン温度補償用抵抗Rk は、ブリッジ回路1の両端に並列に予め接続されている。ここで、各補償用抵抗を接続した状態で、ブリッジ回路1の温度特性を測定し、その測定結果に基づいて各補償用抵抗をトリミングして温度補償を行っている。
Claim (excerpt)：
重り部と,前記重り部を支持固定する支持部と,前記重り部と前記支持部とを橋絡する撓み部とが半導体基板を加工して形成されるとともに、前記撓み部にピエゾ抵抗素子が形成され、前記重り部に印加された加速度に比例した電圧を前記ピエゾ抵抗素子を含むブリッジ回路の出力として検出する半導体加速度センサの温度補償方法において、前記ブリッジ回路の左右両辺に配設された前記ピエゾ抵抗素子と直列に零点補償用厚膜抵抗を予め配設し、温度特性の測定結果に基づいて、前記零点補償用厚膜抵抗の内いずれか一方をトリミングすることにより零点補償を行うことを特徴とする半導体加速度センサの温度補償方法。
IPC (2)：
FI (2)：
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