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J-GLOBAL ID：200903071626513212
半導体記憶装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992003326
Publication number (International publication number)：1993189988
Application date： Jan. 10, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：
【要約】【構成】 各メモリセル1のMOSトランジスタ1bにキャパシタ1aと固定スイッチ回路1cとが接続された。【効果】 DRAMデバイス中の任意の領域に固定情報を予め記憶させたROM領域を設けることができるので、小型電子機器のメモリシステムを簡素化することができるようになる。
Claim (excerpt)：
他端が第1基準電位に接続されたキャパシタの一端を、対応するワード線にゲートが接続されたトランジスタのソース・ドレイン間を介して、対応するビット線に接続することにより構成されるダイナミック型のメモリセルを多数備えた半導体記憶装であって、各メモリセルのトランジスタとキャパシタとの間の接続点が、予め接続状態又は非接続状態を設定することができる接続可能手段を介して第2基準電位に接続されている、半導体記憶装置。
IPC (2)：
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