Pat
J-GLOBAL ID：200903071639583953
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001346911
Publication number (International publication number)：2002220420
Application date： Nov. 13, 2001
Publication date： Aug. 09, 2002
Summary：
【要約】【解決手段】 式(1)で示される繰り返し単位を含む高分子化合物。【化1】(R<SP>1</SP>、R<SP>2</SP>、R<SP>3</SP>はH、F、アルキル又はフッ素化されたアルキル、R<SP>4</SP>、R<SP>5</SP>はH、F、アルキル又はフッ素化されたアルキル、R<SP>4</SP>とR<SP>5</SP>の少なくとも一方にフッ素原子を含む。R<SP>6</SP>は酸不安定基、R<SP>7</SP>はH又はアルキル、0<d+e<5、0<g+h≦5、0<(a+b)/(a+b+c)<1、0<c/(a+b+c)<0.8。)【効果】 本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特には190nm以下の波長における感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れている。
Claim (excerpt)：
下記一般式(1)で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>、R<SP>2</SP>、R<SP>3</SP>は同一又は異種の水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R<SP>4</SP>、R<SP>5</SP>は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜10のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、R<SP>4</SP>とR<SP>5</SP>の少なくともどちらか一方にフッ素原子を含む。R<SP>6</SP>は酸不安定基であり、R<SP>7</SP>は水素原子、又は炭素数1〜10のアルキル基である。0≦d<5、0≦e≦5、0<f<5、0≦g≦5、0≦h≦5の範囲であり、0<d+e<5、0<g+h≦5である。また、0≦a/(a+b+c)<1、0≦b/(a+b+c)<1、0<(a+b)/(a+b+c)<1であり、0<c/(a+b+c)<0.8である。)
IPC (6)：
C08F212/14
, C08F220/10
, G03F 7/004 501
, G03F 7/039 601
, G03F 7/38
, H01L 21/027
C08F212/14
, C08F220/10
, G03F 7/004 501
, G03F 7/039 601
, G03F 7/38
, H01L 21/30 502 R
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA09
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BG00
, 2H025CC03
, 2H025CC20
, 2H025FA01
, 2H025FA03
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 2H096AA25
, 2H096BA11
, 2H096BA20
, 2H096EA03
, 2H096EA05
, 2H096EA06
, 2H096EA07
, 2H096GA08
, 2H096JA02
, 2H096JA03
, 4J100AB07P
, 4J100AB10Q
, 4J100AL31R
, 4J100BA02R
, 4J100BA03P
, 4J100BA03R
, 4J100BA04R
, 4J100BA20R
, 4J100BA72R
, 4J100BB07P
, 4J100BB07Q
, 4J100BB18P
, 4J100BB18Q
, 4J100BC03R
, 4J100BC04R
, 4J100BC07R
, 4J100BC22R
, 4J100BC23R
, 4J100BC59R
, 4J100CA03
, 4J100CA05
, 4J100DA61
, 4J100DA62
, 4J100EA01
, 4J100JA38
