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J-GLOBAL ID：200903071649751951

分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法

Inventor： 山田 博仁 ,  奥田 哲朗 ,  鳥飼 俊敬
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992292851
Publication number (International publication number)：1994196798
Application date： Oct. 30, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 DFBレーザの共振器内の軸方向光強度分布を均一にすることにより空間的ホールバーニングを低減し、電流-光出力特例の直線性を改善し、優れた歪特性のアナログ光通信用DFBレーザを実現する。【構成】 表面に回折格子4を有するn-InP基板1上に中央に開口部をもち共振器方向の中央部で幅が狭く、端面部で幅の広いSiO2 マスクを形成し、MOVPE選択成長により、n-InGaAsP光ガイド層2を選択成長する。SiO2 パターン幅の広い部分はInGaAsPの組成は長波長に、パターン幅の狭い分は短波長になるので、光ガイド層の屈折率は共振器の両端部で大きく中央部分で小さくなる。従って回折格子の結合係数κは共振器の両端で大きく、中央部分で小さくなる。この後SiO2 マスクを除去し、活性層3を有するDH構造を形成し、DFBレーザを製作する。

Claim (excerpt)：

少なくとも光ガイド層と、活性層とグレーティングとを有し、前記光ガイド層のバンドギャップ波長が、共振器方向で中央部分から共振器端面に近づくにつれて長波長となっていることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。