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J-GLOBAL ID：200903071655329870

薄膜コンデンサおよび薄膜コンデンサを含む半導体集積回路の製造方法

Inventor： 増子 昭宏 ,  山田 伸明 ,  坂倉 康彦
Applicant, Patent owner： 島田理化工業株式会社
Agent (1)： 上島 淳一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993284467
Publication number (International publication number)：1995115032
Application date： Oct. 19, 1993
Publication date： May. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】通信分野などに使用されるマイクロ波用ICの抵抗膜とMIMコンデンサの下部電極配線や上部電極配線とを同一レイヤーで形成することにより、レイヤー数を削減してICの製造コストの低減を図る。【構成】マイクロ波用ICの構成素子として抵抗R、インダクタンスL、MIMコンデンサCを含む半導体集積回路の製造方法において、各構成素子の基板10上に抵抗膜12、下部電極配線14、絶縁層16、上部電極配線18および空中配線20などを層状に形成する際に、抵抗膜12と下部電極配線14とを同一製造工程により形成した。

Claim (excerpt)：

構成素子として抵抗、インダクタンス、薄膜コンデンサを含む半導体集積回路の製造方法において、前記各構成素子の基板上に抵抗膜、下部電極配線、絶縁層、上部電極配線および空中配線などを層状に形成する際に、前記抵抗膜と前記下部電極配線とを同一製造工程により形成することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。

IPC (3)：

H01G 4/06 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (4)：

H01G 4/06 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/04 P ,  H01L 27/04 L