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J-GLOBAL ID：200903071674333374
レベンソン型位相シフトマスクの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001271578
Publication number (International publication number)：2003075986
Application date： Sep. 07, 2001
Publication date： Mar. 12, 2003
Summary：
【要約】【課題】解像性に優れた欠陥のないレベンソン型位相シフトマスクの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】透明基板11上に遮光膜21及びレジスト層31が形成されたブランク10を準備し、一連のパターニング処理を行って、透明基板11上に遮光パターン21a及び透過領域22が形成されたマスク20を作製し、マスク20の検査、修正を行う。マスク20上の遮光パターン21a上にレジストパターン32aを形成し、透明基板11をドライエッチングして掘り込み12a形成し、さらに、レジストパターン33aを形成し、所定の掘り込み12aをドライエッチングして掘り込み12bを形成し、レジストパターン33aを剥離して、透明基板11に遮光パターン21a、掘り込み(シフター)12a及び12bが形成されたレベンソン型位相シフトマスク(両掘り方式)100を得る。
Claim (excerpt)：
以下の工程を少なくとも備えていることを特徴とするレベンソン型位相シフトマスクの製造方法。(a)石英基板等からなる透明基板(11)上にクロム膜等からなる遮光膜(21)及びレジスト層(31)が形成されたブランク(10)を準備する工程。(b)前記レジスト層(31)をパターニング処理してレジストパターン(31a)を形成し、前記レジストパターン(31a)をマスクにして前記遮光膜(21)をエッチングし、前記レジストパターン(31a)を剥離して、前記透明基板(11)上に遮光パターン(21a)及び透明領域(22)を有するマスク(20)を作製する工程。(c)前記マスク(20)の検査、修正を行う工程(d)検査、修正の終わった前記マスク(20)上にレジスト層(32)を形成し、一連のパターニング処理を行って、遮光パターン(21a)上にレジストパターン(32a)を形成する工程。(e)前記レジストパターン(32a)をマスクにして透明基板(11)をドライエッチングして掘り込み(12a)を形成し、前記レジストパターン(32a)を専用の剥離液で剥離し、透明基板(11)に掘り込み(12a)が形成されたマスク(30)を作製する工程。(f)前記マスク(30)上にレジスト層(33)を形成し、一連のパターニング処理を行って、前記マスク(30)上の所定の掘り込み(12a)上に開口部(34)を有するレジストパターン(33a)を形成する工程。(g)前記レジストパターン(33a)をマスクにして所定の掘り込み(12a)をドライエッチングして掘り込み(12b)を形成し、前記レジストパターン(33a)を専用の剥離液で剥離する工程。
IPC (2)：
FI (2)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
