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J-GLOBAL ID：200903071690457598

半導体装置用電極構造

Inventor： 清水 尚博 ,  堀田 栄喜
Applicant, Patent owner： 日本碍子株式会社 ,  堀田 栄喜
Agent (1)： 千葉 剛宏 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001197399
Publication number (International publication number)：2003017512
Application date： Jun. 28, 2001
Publication date： Jan. 17, 2003
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】高周波電流の供給に伴う表皮効果を緩和することができ、半導体素子のデバイス領域全体に一様な電流を流すことができる半導体装置用電極構造を提供する。【解決手段】アノード主電極25Aは、抵抗率の異なる複数の部材B1〜Bnが組み合わされて構成されている。具体的には、中央に円筒状の第1部材B1(抵抗率=ρ1)が配置され、その周りに内径が第1部材B1の外径とほぼ同じとされた円環状の第2部材B2(抵抗率=ρ2>ρ1)が配置され、該第2部材B2の周りに内径が第2部材B2の外径とほぼ同じとされた円環状の第3部材B3(抵抗率=ρ3>ρ2)が配置され、以下同様に、第n-1部材Bn-1の周りに内径が第n-1部材Bn-1の外径とほぼ同じとされた円環状の第n部材Bn(抵抗率=ρn>ρn-1)が配置されて構成されている。

Claim (excerpt)：

半導体素子の少なくとも片側に板状の電極を有する半導体装置用電極構造において、前記電極は、表皮効果抑制部材を有することを特徴とする半導体装置用電極構造。

IPC (2)：

H01L 21/52 ,  H01L 29/74

FI (2)：

H01L 21/52 J ,  H01L 29/74 L

F-Term (7)：

5F005BA01 ,  5F005DA02 ,  5F005GA02 ,  5F005GA04 ,  5F047JA02 ,  5F047JB02 ,  5F047JC02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 圧接形半導体装置および製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-338834   Applicant：東洋電機製造株式会社
• 特開昭58-023485
  
• 特開昭56-124238