Pat

J-GLOBAL ID：200903071697570845

GaN基板

Inventor： 中山 雅博 ,  中畑 成二 ,  上松 康二 ,  玉村 好司 ,  池田 昌夫
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社 ,  ソニー株式会社
Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003128059
Publication number (International publication number)：2004335645
Application date： May. 06, 2003
Publication date： Nov. 25, 2004
Summary：

【課題】円形の自立GaNが製造可能になってきたがOFによる方位の指示手段では誤差が0.5 ゚〜1 ゚というように大きい。精度良く[11-20]方位を示す事ができるようにしたGaNウエハを与える。【解決手段】GaAs基板の上に[-110]方向に平行な線状マスクを設けその上にGaNをファセット成長させると、線状マスクの上に転位が引き込まれ欠陥集合領域Hとなる。その他の部分は転位の少ない良質の単結晶領域となる。欠陥集合領域Hは隣接する単結晶部分とは結晶構造が異なり光学的にも差異がある。GaAs基板は取り去りマスクも除去するがその上に成長した平行な欠陥集合領域Hは肉眼でも分かる。Hを劈開面に平行になるように作製し、ストライプ(欠陥集合領域H)によって劈開面を精度良く表示する。結晶方位を0.5 ゚以下あるいは0.03 ゚以下の誤差内で正しく表示できる。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

同一の結晶方位をもつ単結晶部分と、単結晶部分とは異なる結晶方位をもち平行線状に連続するストライプ部分を有し、単結晶部分の[11-20]方向あるいは[-1100]方向と、ストライプ部分の延長方向とのなす角度αが0.5度以下であることを特徴とするGaN基板。

IPC (3)：

H01L21/02 ,  C30B25/04 ,  C30B29/38

FI (3)：

H01L21/02 B ,  C30B25/04 ,  C30B29/38 D

F-Term (9)：

4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077EE07 ,  4G077FJ03 ,  4G077TK06 ,  4G077TK08 ,  4G077TK11