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J-GLOBAL ID：200903071716046109

窒化ガリウム系化合物半導体のp型化方法

Inventor： 山田 孝夫 ,  妹尾 雅之 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993124889
Publication number (International publication number)：1994314821
Application date： Apr. 28, 1993
Publication date： Nov. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 p型ドーパントをドープした窒化ガリウム系化合物半導体層を低抵抗にすると共に、深さ方向均一に、選択的により低抵抗なp型層を得る。【構成】 p型ドーパントをドープした窒化ガリウム系化合物半導体層表面に選択的に保護膜を形成した後、その窒化ガリウム系化合物半導体層を400°C以上でアニーリングすることにより低抵抗にすると共に、同一窒化ガリウム系化合物半導体層に抵抗率の差を設ける。

Claim (excerpt)：

p型ドーパントをドープした窒化ガリウム系化合物半導体層表面に選択的に保護膜を形成した後、その窒化ガリウム系化合物半導体層を400°C以上でアニーリングすることにより低抵抗にすると共に、同一窒化ガリウム系化合物半導体層に抵抗率の差を設けることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体のp型化方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324