金属層界面の導電率測定方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998216795
Publication number (International publication number)：2000046756
Application date： Jul. 31, 1998
Publication date： Feb. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】金属層と誘電体基板との界面の導電率を測定することのできる新規な測定方法を提供する。【解決手段】表面に金属層4が被着形成された誘電体基板5からなる被測定物における金属層4と誘電体基板5との界面の導電率を測定する方法であって、比誘電率および誘電正接が既知の誘電体円柱6の両端面を、誘電体基板5が誘電体円柱6と対向するように挟持するか、あるいは誘電体円柱6の一方の端面を誘電体基板5と対向させ、他方の端面を導電率が既知の導体板7と対向させて挟持してなる誘電体共振器AまたはBを形成し、誘電体共振器AまたはBにより生成されたTE0mn モード(m=1,2,3,・・、n=1,2,3,・・・)の共振波形から測定した共振周波数f0 および無負荷Q,Quに基づき、金属層4と誘電体基板5との界面の高周波導電率を算出する。

Claim (excerpt)：

表面に金属層が被着形成された誘電体基板からなる被測定物における前記金属層と前記誘電体基板との界面の導電率を測定する方法であって、比誘電率および誘電正接が既知の誘電体円柱の両端面を前記被測定物の誘電体基板が前記誘電体円柱と対向するように挟持するか、あるいは前記誘電体円柱の一方の端面を前記被測定物の誘電体基板と対向させ、他方の端面を導電率が既知の導体板と対向させて挟持してなる誘電体共振器を形成し、該誘電体共振器により生成されたTE0mn モード(m=1,2,3,・・、n=1,2,3,・・)の共振波形から共振周波数および無負荷Qを測定し、前記共振周波数および無負荷Qに基づき、被測定物における前記金属層と前記誘電体基板との界面の高周波導電率を算出することを特徴とする金属層界面の導電率測定方法。

FI (3)：

G01N 22/00 V , G01N 22/00 F , G01N 22/00 T

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

高温超伝導薄膜を特徴付けるための装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平6-506440 Applicant：イー・アイ・デユポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー
共振器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-324686 Applicant：京セラ株式会社
高周波特性の測定装置及び高周波特性の測定方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-146322 Applicant：富士通株式会社

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