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J-GLOBAL ID：200903071719623549

太陽電池

Inventor： 松田 孝順 ,  高橋 健 ,  海野 恒弘
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994025273
Publication number (International publication number)：1995235684
Application date： Feb. 23, 1994
Publication date： Sep. 05, 1995
Summary：

【要約】【目的】 太陽電池の受光面に形成される反射防止膜を改善し、高効率の太陽電池を実現する。【構成】 半導体層(AlGaAs層)2の受光面2aにTiO2 層3を形成した後更にSiON層4を積層して二層構造の反射防止膜5を形成する。その際、AlGaAs層2の屈折率 3.5に対し、TiO2 層3の屈折率を厚さ方向に 3.3から2.4 まで、SiON層4の屈折率を同じく 2.3から 1.4まで変化させる。これにより反射防止膜5とAlGaAs層2との界面での屈折率差が 0.5以下、反射防止膜5の光入射面5aの屈折率が1.3 〜1.6 、反射防止膜5の各層3.4間の界面での屈折率差が 0.3以下に抑えられ、広い波長域で反射率を大幅に低減し、変換効率を大幅に向上できる。

Claim (excerpt)：

半導体層の受光面に反射防止膜を形成してなる太陽電池において、上記反射防止膜の屈折率をその光入射面から上記半導体層との界面にかけて膜厚方向に連続的に増大させてなることを特徴とする太陽電池。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭60-208813
  
• 特開昭63-071801
  
• 特開昭57-192085