Pat

J-GLOBAL ID：200903071729755869

化合物半導体膜の形成方法及び発光素子

Inventor： 菅 康夫
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997259723
Publication number (International publication number)：1999097355
Application date： Sep. 25, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 結晶成長中の過度の温度上昇による表面荒れを防ぎつつ、結晶成長層の結晶性を出来る限りよくする。【解決手段】 MBE装置を用いて、基板上に化合物半導体膜を形成する際、所望のシャッタの開閉に応じて対象基板の温度を変化させることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

MBE装置を用いて、基板上に化合物半導体膜を形成する際、所望のシャッタの開閉に応じて対象基板の温度を変化させることを特徴とする化合物半導体膜の形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/203 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (5)：

H01L 21/203 M ,  C30B 23/08 M ,  C30B 29/40 502 K ,  H01L 33/00 B ,  H01S 3/18