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J-GLOBAL ID：200903071735126431
電界効果トランジスタの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991214813
Publication number (International publication number)：1993036721
Application date： Jul. 31, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 逆スタガード型のTFTを含む各種のFETにおいて、イオン注入を用いることなく、ソース領域およびドレイン領域をゲート電極に対して自己整合的に形成する。【構成】 ガラス基板1上にノンドープのa-Si:H薄膜2を形成した後、このa-Si:H薄膜2のうちのソース領域およびドレイン領域となる部分の上にPがドープされたa-Si:H薄膜3を形成するとともに、チャネル領域となる部分の上にゲート絶縁膜4を介してゲート電極5を形成する。この後、このゲート電極5をマスクとしてa-Si:H薄膜3及びa-Si:H薄膜2にレーザ光6を照射して加熱する。これによって、ソース領域7及びドレイン領域8をゲート電極5に対して自己整合的に形成する。
Claim (excerpt)：
チャネル領域、ソース領域およびドレイン領域形成用の第1の半導体層のうちの上記ソース領域および上記ドレイン領域となる部分に接してソース領域およびドレイン領域形成用の不純物を含有する第2の半導体層を形成するとともに、上記第1の半導体層のうちの上記チャネル領域となる部分にゲート絶縁膜を介して対向するゲート電極を形成し、上記ゲート電極をマスクとして上記第1の半導体層および/または上記第2の半導体層にエネルギービームを照射することにより上記ソース領域および上記ドレイン領域を形成するようにした電界効果トランジスタの製造方法。
IPC (6)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, G02F 1/1343
, G02F 1/136 500
, H01L 21/22
, H01L 21/225
H01L 29/78 311 P
, H01L 29/78 311 A
