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J-GLOBAL ID：200903071736504693

光起電力装置の製造方法

Inventor： 細川 弘 ,  山本 恵章 ,  木山 精一
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 山田 義人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993103878
Publication number (International publication number)：1994314807
Application date： Apr. 30, 1993
Publication date： Nov. 08, 1994
Summary：

【要約】【構成】 逆タイプ構造の光起電力装置10を製造する際、導電層14の分離部14a,半導体層16の分離部16aおよび透明導電層18の分離部18aを形成するとき、波長0.308μmでパルス半値幅40nsec以下のXeClエキシマレーザのパルスビームを照射する。【効果】 導電層14の凸部に起因する短絡事故や、下層の導電層14や半導体層16の損傷がない。

Claim (excerpt)：

絶縁層上に、各セル毎に、導電層,光活性層を含む半導体層および透明導電層がこの順で形成され、前記透明導電層が隣接セルの前記導電層に接続されている、光起電力装置の製造方法において、少なくとも前記導電層,前記半導体層,および前記透明導電層を分離する際に、所定値以下のパルス半値幅を有する所定値以下の短波長のパルスレーザを照射することによって各層の不要部分を除去するようにしたことを特徴とする、光起電力装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-142370
  
• 特開昭63-215390