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J-GLOBAL ID：200903071737047750

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 三木 浩史 ,  鳥居 和功 ,  藤崎 芳久
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高橋 明夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996128571
Publication number (International publication number)：1997312381
Application date： May. 23, 1996
Publication date： Dec. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】コンデンサを有する半導体記憶装置の信頼性向上および消費電力の低減を達成する。【解決手段】常温で強誘電性を示す誘電体膜を第1および第2の電極で挟んだ後、不活性雰囲気中で450°C以上の温度で熱処理して、上記誘電体膜を改質し、一部またはすべての強誘電性を失わせる。【効果】誘電体膜の強誘電性が失われ、誘電率を変化させることなしにリーク電流密度が低下する。

Claim (excerpt)：

互いに対向して配置された導電性膜からなる第1の電極および第2の電極と、当該第1の電極と第2の電極の間に形成された誘電体膜を有し、当該誘電体膜は常温において電束密度-電界強度特性が履歴特性を示す誘電体膜を非酸化性雰囲気中で熱処理して形成された上記履歴特性を持たない改質膜を含む膜であるコンデンサを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/314

FI (3)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 21/314 A ,  H01L 27/04 C