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J-GLOBAL ID：200903071742264742

半導体分布帰還型レーザ装置

Inventor： 井上 武史
Applicant, Patent owner： 光計測技術開発株式会社
Agent (1)： 井出 直孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991199454
Publication number (International publication number)：1993048193
Application date： Aug. 08, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 利得結合による分布帰還が行われる半導体分布帰還型レーザ装置における利得結合の大きさを利得とは別に制御する。【構成】 利得に周期性を設けた活性層7とは別に、同一光導波路内に第二の活性層12を設け、二つの活性層7、12にそれぞれ注入する電流により利得を制御し、利得に周期性を設けた側の活性層7に注入する電流により利得結合の大きさを制御する。

Claim (excerpt)：

電流注入による発光利得がその発振波長に対応する周期で変化するように設定された第一の活性層を半導体光導波路内に備えた半導体分布帰還型レーザ装置において、前記半導体光導波路内にはさらに、前記第一の活性層との間で互いに光が結合する位置に第二の活性層を備え、この第二の活性層に注入する電流と前記第一の活性層に注入する電流とにより利得を制御し、前記第一の活性層に注入する電流により利得結合の大きさを制御する手段を備えたことを特徴とする半導体分布帰還型レーザ装置。