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J-GLOBAL ID：200903071757360179

電界放射型冷陰極の作製方法

Inventor： 高国 浩 ,  大森 克之
Applicant, Patent owner： クラリオン株式会社
Agent (1)： 永田 武三郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991208643
Publication number (International publication number)：1993036345
Application date： Jul. 25, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 保護抵抗の均一性に優れ、下地の影響を受けないフィールドエミッタ構造の作製を可能とする電界放射型冷陰極の作製方法を提供する。【構成】 シリコン基板10上にまず抵抗層となる1層目のエピタキシャルシリコン層11を成長させ、次に導電層(エミッタ形成部)となる2層目のエピタキシャルシリコン層12を成長させ、シリコン窒化膜14/シリコン酸化膜13をエピタキシャル層上に部分的に堆積し、これをマスクとしてエピタキシャル層のエッチングを行ない、マスク下のエピタキシャル層を小尖状のエミッタ15とする。【効果】 製造装置ならびにエピタキシャル成長プロセスの最適化によって、素子特性に合った抵抗値をもった抵抗層を、膜厚および抵抗値の均一性よく設けることができる。したがってアレイ構成フィールドエミッタにおける各エミッタの特性の均一性の向上が可能となる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にエピタキシャル層を形成する工程と、前記エピタキシャル層上に部分的にマスクを形成する工程と、前記マスク形成後に前記エピタキシャル層のエッチングを行ない、マスク下のエピタキシャル層を小尖状にする工程とを含むことを特徴とする電界放射型冷陰極の作製方法。