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J-GLOBAL ID：200903071760429023

フォトレジスト用重合性不飽和化合物

Inventor：
新井 隆

About 新井 隆


Applicant, Patent owner：
ダイセル化学工業株式会社

About ダイセル化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001047682
Publication number (International publication number)：2002251009
Application date： Feb. 23, 2001
Publication date： Sep. 06, 2002
Summary：
【要約】【課題】 本発明の目的は、フォトレジスト用樹脂に用いられる高分子を重合にて製造する際に、再現性よく単峰性で狭分散である高分子を得ることである。また、このような高分子を使用したフォトレジスト用樹脂により、半導体の微細加工が可能とする。【解決手段】 本発明は、フォトレジスト用高分子化合物の単量体として使用される重合性不飽和化合物であって、活性水素を有する化合物の含有率が500PPM以下であることを特徴とするフォトレジスト用重合性不飽和化合物を提供する。
Claim (excerpt)：
フォトレジスト用高分子化合物の単量体として使用される重合性不飽和化合物であって、活性水素を有する化合物の含有率が500PPM以下であることを特徴とするフォトレジスト用重合性不飽和化合物。
IPC (6)：
G03F 7/039 601 ,  C07C 67/58 ,  C07C 69/013 ,  C07C 69/533 ,  C07C 69/54 ,  C08F 20/00
FI (7)：
G03F 7/039 601 ,  C07C 67/58 ,  C07C 69/013 C ,  C07C 69/533 ,  C07C 69/54 B ,  C07C 69/54 Z ,  C08F 20/00
F-Term (26)：
2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AD03 ,  2H025BG00 ,  4H006AA01 ,  4H006AA02 ,  4H006AA03 ,  4H006AB46 ,  4H006AD16 ,  4H006BJ30 ,  4J100AJ02P ,  4J100AL08P ,  4J100BA03P ,  4J100BA11P ,  4J100BA15P ,  4J100BA16P ,  4J100BA20P ,  4J100BC08P ,  4J100BC09P ,  4J100BC12P ,  4J100BC53P ,  4J100BC58P ,  4J100CA01 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (13)
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