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J-GLOBAL ID：200903071775783087

半導体レーザ装置

Inventor： 別所 靖之
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 福島 祥人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994115182
Publication number (International publication number)：1995321403
Application date： May. 27, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：

【要約】【目的】 温度特性が良好でかつ高出力化が実現された半導体レーザ装置を提供することである。【構成】 半導体レーザ装置の端面近傍における活性層端部51,52を1層の井戸層13により形成することにより、端面での光密度を低くし、高出力化を実現する。また、半導体レーザ装置の活性層中央部53を4層の井戸層13および3層の障壁層14により形成することにより、キャリアのオーバーフローを少なくし、良好な温度特性を得る。

Claim (excerpt)：

少なくとも一方の端面での光密度が低くかつ前記端面近傍を除く領域でキャリアのオーバーフローが低減されるように活性層の前記端面近傍における厚さおよび前記活性層の前記端面近傍を除く領域における厚さをそれぞれ設定したことを特徴とする半導体レーザ装置。