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J-GLOBAL ID：200903071782436872

シリコン基板の無電解めっき方法およびシリコン基板上の金属層形成方法

Inventor：
関 斎

About 関 斎


Applicant, Patent owner：
アルプス電気株式会社

About アルプス電気株式会社


Agent (2)： 中尾 俊輔 ,  伊藤 高英
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004312373
Publication number (International publication number)：2005336600
Application date： Oct. 27, 2004
Publication date： Dec. 08, 2005
Summary：
【課題】 シリコン酸化膜の除去能力に優れた触媒化溶液を用い、平坦性および均一性に優れた無電解めっき皮膜を低コストで簡単にシリコン基板上に形成する。【解決手段】 フッ酸、フッ化アンモニウムおよび無電解めっき用触媒金属を含む水溶液にシリコン基板を浸漬してシリコン基板表面の触媒化を行った後、このシリコン基板表面に無電解めっきにより金属皮膜を形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
フッ酸、フッ化アンモニウムおよび無電解めっき用触媒金属を含む水溶液にシリコン基板を浸漬してシリコン基板表面の触媒化を行った後、このシリコン基板表面に無電解めっきにより金属皮膜を形成することを特徴とするシリコン基板の無電解めっき方法。
IPC (6)：
C23C18/18 ,  C23C18/16 ,  C23C18/32 ,  C23C18/38 ,  C23C18/42 ,  H01L21/288
FI (6)：
C23C18/18 ,  C23C18/16 B ,  C23C18/32 ,  C23C18/38 ,  C23C18/42 ,  H01L21/288 E
F-Term (17)：
4K022AA05 ,  4K022BA03 ,  4K022BA08 ,  4K022BA14 ,  4K022CA06 ,  4K022DA01 ,  4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD22 ,  4M104DD23 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD79
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 半導体装置の電極形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-100038   Applicant：株式会社日立製作所, 日立原町電子工業株式会社
Cited by examiner (11)
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