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J-GLOBAL ID：200903071797675172

新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 大澤 洋一 ,  渡辺 武 ,  金生 剛 ,  小林 克浩
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (4)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006093303
Publication number (International publication number)：2007145797
Application date： Mar. 30, 2006
Publication date： Jun. 14, 2007
Summary：

【解決手段】式(1)で示されるスルホン酸塩。CF3-CH(OCOR)-CF2SO3-M+ (1) (Rは置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜14のアリール基を示す。M+はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオン、又はテトラメチルアンモニウムイオン)【効果】本発明のスルホン酸は、分子内にエステル部位を有しているため、嵩の低いアシル基から嵩高いアシル基、ベンゾイル基、ナフトイル基、アントライル基等の導入が容易であり、分子設計の幅を大きく持つことができる。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示されるスルホン酸塩。 CF3-CH(OCOR)-CF2SO3-M+ (1)

IPC (14)：

C07C 309/12 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/075 ,  H01L 21/027 ,  C07C 381/12 ,  C07C 25/00 ,  C07C 309/68 ,  C07D 333/46 ,  C07D 207/46 ,  C07D 209/76 ,  C07D 221/14 ,  C07D 491/18 ,  C07D 209/48

FI (16)：

C07C309/12 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/075 511 ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 515D ,  C07C381/12 ,  C07C25/00 ,  C07C309/68 ,  C07D333/46 ,  C07D207/46 ,  C07D209/76 ,  C07D221/14 ,  C07D491/18 ,  C07D209/48

F-Term (48)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB13 ,  2H025CB14 ,  2H025CB33 ,  2H025CB41 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  4C034CG02 ,  4C034CG10 ,  4C050AA03 ,  4C050BB04 ,  4C050CC16 ,  4C050DD07 ,  4C050EE01 ,  4C050FF01 ,  4C050GG03 ,  4C050HH01 ,  4C069AC36 ,  4C069BC10 ,  4C204BB05 ,  4C204BB09 ,  4C204BB10 ,  4C204CB04 ,  4C204CB19 ,  4C204DB30 ,  4C204EB03 ,  4C204FB33 ,  4C204GB01 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB76 ,  4H006AB81 ,  5F046AA28 ,  5F046CA04 ,  5F046DA07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

• フォトレジスト組成物、その方法及びそれらを含有してなる工業製品
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-252064   Applicant：シップレーカンパニーエルエルシー
• 感光性耐食膜組成物および方法ならびに同組成物を含む工業製品
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-043762   Applicant：シプレイ・カンパニー・リミテッド・ライアビリティー・カンパニー
• ポジ型感光性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-132546   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-239633   Applicant：信越化学工業株式会社
• 米国特許出願公開第2002/0197558号明細書
  
• 光感応性酸発生剤およびそれらを含むフォトレジスト
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-545309   Applicant：ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー.
• 酸発生剤、スルホン酸、スルホン酸誘導体および感放射線性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-189133   Applicant：JSR株式会社
• 2-(ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル)-1,1-ジフルオロエチルスルフィン酸塩または2-(ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル)-1,1-ジフルオロエチルスルホン酸塩およびそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-102525   Applicant：東ソ-・エフテック株式会社

Cited by examiner (4)

• セグメント化された炭化水素-フッ化炭化水素スルホネートアニオンを有するイオン光酸発生剤
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2004-550062   Applicant：スリーエムイノベイティブプロパティズカンパニー
• 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-244193   Applicant：信越化学工業株式会社
• 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-244262   Applicant：信越化学工業株式会社
• 熱酸発生剤及びこれを含むレジスト下層膜材料、並びにこのレジスト下層膜材料を用いたパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-135169   Applicant：信越化学工業株式会社