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J-GLOBAL ID：200903071819767726

イオンビームエッチングを用いたレーザー光学結晶の接合法

Inventor： 杉山 僚 ,  勝間田 正基
Applicant, Patent owner： 日本原子力研究所 ,  株式会社光学技研
Agent (6)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  桜井 周矩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002215082
Publication number (International publication number)：2004054170
Application date： Jul. 24, 2002
Publication date： Feb. 19, 2004
Summary：

【課題】従来の拡散接合法では、結晶に比較的大きな圧力荷重を加えるために、結晶内部に歪みを発生させ、接合後のレーザー素子としての特性に悪影響を及ぼす。また、従来の化学処理を施す直接接合法では、化学エッチングによって表面を清浄化できるが、薬品を使用することから、危険かつ生産性が悪く、また廃液の処理にコストがかかるという欠点がある。【解決手段】様々の結晶に適用することが可能なイオンビームで研磨面を真空中にてエッチング処理した後に、大気中で接触させて荷重を加えることなく加熱処理することにより、接着剤等の中間剤を用いずにエッチングのみを接合面に施してレーザー光学結晶を接合する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

接着剤等の中間剤を用いずにエッチングのみを接合面に施してレーザー光学結晶を接合することを特徴とする、イオンビームエッチングを用いたレーザー光学結晶の接合法方法。

IPC (2)：

G02B7/00 ,  H01S3/16

FI (2)：

G02B7/00 F ,  H01S3/16

F-Term (4)：

2H043AE02 ,  5F072AB20 ,  5F072AK04 ,  5F072JJ08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• レーザー光学結晶の直接接合法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-186662   Applicant：日本原子力研究所