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J-GLOBAL ID：200903071820278836

プラズマCVD装置

Inventor： 山上 敦士 ,  岡村 信行
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992092886
Publication number (International publication number)：1993291149
Application date： Apr. 13, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【構成】 高周波印加用電極の面積が対向電極の面積の1.5倍〜5倍の範囲にあり、且つ該高周波印加用電極とシールド部材との間隔が3mmよりも大きいとともに、該高周波印加用電極に発振周波数が13.56MHz以上の高周波電源を接続したことを特徴とするプラズマCVD装置。【効果】 高周波電極とシールド部材との間隔を3mmよりも大きくしたことで、静電容量を従来装置よりも大幅に減少させることができる。また、高周波電極とアースシールド間のショート発生を防止できる。そのため、放電周波数を13.56MHzよりも大きくしても、高周波電力の損失を防止でき、また堆積粒子に十分なアシストエネルギーを付与することができる。

Claim (excerpt)：

高周波印加用の電極により一部が構成された減圧可能な反応容器と、前記反応容器の外部に設けられた前記高周波の漏洩を防止するためのシールド部材と、前記反応容器内に反応ガスを供給するガス供給手段と、を有し、前記反応容器内に配され前記高周波印加用電極の対向電極として機能する被処理基体と前記放電用電極との間の放電により前記反応ガスをプラズマ化し、前記被処理基体上に堆積膜を形成するプラズマCVD装置において、前記高周波印加用電極の面積が前記対向電極の面積の1.5倍〜5倍の範囲にあり、且つ該高周波印加用電極と前記シールド部材との間隔が3mmよりも大きいとともに、該高周波印加用電極に発振周波数が13.56MHz以上の高周波電源を接続したことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50