Pat

J-GLOBAL ID：200903071820768108

半導体素子の製造方法

Inventor： 田中 陽
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992004554
Publication number (International publication number)：1993190849
Application date： Jan. 14, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 シリコン基板において、不純物拡散が予定される領域にCを導入し、そのCの不純物拡散抑止効果によって、不純物の必要以上の拡散を低減させる。【構成】 半導体素子の製造方法において、ソース・ドレイン領域に予めCイオンを注入し〔図1(b)参照〕、そのCイオンの注入領域にBイオンを注入し〔図1(c)参照〕、そのBイオンをCにより覆うように形成し、その後、熱処理を行なう〔図1(d)参照〕。

Claim (excerpt)：

(a)シリコン基板において不純物拡散が予定される部位に予めCイオンを注入する工程と、(b)該Cイオンの注入領域に不純物を注入し、該不純物をCにより覆うように形成する工程と、(c)その後、熱処理工程とを施すことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特表昭60-501927
  
• 特開平3-157941
  
• 特開昭61-296712