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J-GLOBAL ID：200903071821876338
磁気抵抗変化素子、磁気ヘツド、磁気記録装置、並びに磁気抵抗変化素子の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鵜沼 辰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991209546
Publication number (International publication number)：1993054343
Application date： Aug. 21, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：
【要約】【目的】 信号磁界に対して磁気抵抗変化が大きく且つ高感度な磁気抵抗変化素子を得ること。【構成】 下部磁気シールド4と下部ギャップ膜5からなる基板上に、強磁性薄膜1、非磁性薄膜2、強磁性薄膜1が交互に積層されている。そして、強磁性薄膜1は、磁気抵抗変化素子本体に進入する信号磁界の方向に対して一層毎に左右対称な方向に交互に磁化され、その磁化方向が信号磁界の方向に対して90度以下の角度に設定されている。さらに、強磁性薄膜1の磁化はそれぞれ同じ大きさの磁化成分に設定されている。
Claim (excerpt)：
基板上に強磁性薄膜と非磁性薄膜が交互に積層された多層構造の磁気抵抗変化素子において、前記強磁性薄膜を、磁気抵抗変化素子本体に進入する信号磁界の方向に対して一層毎に左右対称な方向に交互に磁化し、その磁化方向を前記信号磁界の方向に対して90度以下の角度に設定し、かつ各強磁性薄膜の磁化成分を同じ大きさにしたことを特徴とする磁気抵抗変化素子。
IPC (2)：
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