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J-GLOBAL ID：200903071827140120

半導体装置

Inventor： 森田 功
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993043402
Publication number (International publication number)：1994260529
Application date： Mar. 04, 1993
Publication date： Sep. 16, 1994
Summary：

【要約】【構成】 上下に並べて配置された同一形状の複数のボンディングパッド61〜64と複数のボンディングパッド61〜64の間に存在する層間絶縁膜31〜33とが多層配線構造をなし、複数のボンディングパッド61〜64はそれらの間に存在する層間絶縁膜31〜33の一部分に開孔したスルーホール101〜103を介して相互に電気的に接続され、複数のボンディングパッド61〜64の一部は同一の高さに積層されたアルミ配線層と接続されていることを特徴としている。【効果】 複数のアルミ配線層のうちの任意のアルミ配線層に直接的に接続することができ、小型化を図ることができるという効果がある。

Claim (excerpt)：

複数の金属配線層と、前記金属配線層の間に積層された層間絶縁膜とを有する多層配線構造の半導体装置において、上下に並べて配置された同一形状の複数のボンディングパッドと複数の前記ボンディングパッドの間に存在する層間絶縁膜とが多層配線構造をなし、複数の前記ボンディングパッドはそれらの間に存在する層間絶縁膜の一部分に開孔したスルーホールを介して相互に電気的に接続され、複数の前記ボンディングパッドの一部は同一の高さに積層された前記金属配線層と接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/90

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-308391
  
• 特開昭56-078798
  
• 特開昭58-193888
  
• 特開平1-181669