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J-GLOBAL ID：200903071836277562

SiC単結晶の成長方法

Inventor： 太田 潔 ,  古賀 和幸 ,  藤川 好晴
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991208173
Publication number (International publication number)：1993051299
Application date： Aug. 20, 1991
Publication date： Mar. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、比較的容易に得られる6H形SiCを種結晶とし、昇華法を用いて、安定して4H形SiC単結晶を得ることを目的とする。【構成】 本発明は、6H形SiC種結晶上に酸化膜を形成した後、種結晶温度を2250〜2350°C、温度勾配を5〜20°C/cmとして、該酸化膜上に4H形SiC単結晶を昇華形成するものである。

Claim (excerpt)：

6H形SiC種結晶上に酸化膜を形成した後、種結晶温度を2250〜2350°C、温度勾配を5〜20°C/cmとして、上記酸化膜上に4H形SiC単結晶を昇華形成することを特徴とするSiC単結晶の成長方法。

IPC (2)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/02