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J-GLOBAL ID：200903071858959411

二重拡散型MOSFETおよびこれを用いた半導体装置

Inventor：
濱澤 靖史

About 濱澤 靖史


Applicant, Patent owner：
ローム株式会社

About ローム株式会社


Agent (1)： 小栗 昌平 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002010127
Publication number (International publication number)：2003218348
Application date： Jan. 18, 2002
Publication date： Jul. 31, 2003
Summary：
【要約】【課題】 L-DMOSFET本来の特性を損なうことなく、また素子面積の増大を招くことなく、高い静電破壊耐量を得ることができるL-DMOSFETを提供する。【解決手段】 半導体基板11上に形成されたN型半導体層からなるドレイン領域13と、ドレイン領域13内に形成されたP型半導体領域からなるボディ領域15と、ボディ領域15内に形成されたN型ソース領域16と、ボディ領域15表面に形成されたゲート電極21とを含み、ドレイン領域13内に、N+型ドレインコンタクト領域18とP+型領域19とを同電位となるように形成してなることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成されたN型半導体層からなるドレイン領域と、前記ドレイン領域内に形成されたP型半導体領域からなるボディ領域と、前記ボディ領域内に形成されたN型ソース領域と、前記ボディ領域表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを含み、前記ドレイン領域内に、ドレイン領域表面に形成されたN+型ドレインコンタクト領域、および前記N+型ドレインコンタクト領域と同電位となるように電気的に接続されたP型領域とを具備してなることを特徴とする二重拡散型MOSFET。
FI (2)：
H01L 29/78 301 D ,  H01L 29/78 301 K
F-Term (20)：
5F140AA18 ,  5F140AA25 ,  5F140AA30 ,  5F140AA32 ,  5F140AA38 ,  5F140AB07 ,  5F140AC21 ,  5F140AC22 ,  5F140BA16 ,  5F140BD19 ,  5F140BF44 ,  5F140BF54 ,  5F140BH04 ,  5F140BH30 ,  5F140BH41 ,  5F140BH43 ,  5F140BH47 ,  5F140BJ25 ,  5F140CD02 ,  5F140DA08
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 特開昭62-131580
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-050776   Applicant：株式会社東芝
Cited by examiner (2)
  • 特開昭62-131580
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-050776   Applicant：株式会社東芝

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