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J-GLOBAL ID：200903071873716770

磁気抵抗効果素子及びその製造方法

Inventor： 柘植 久尚
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997298566
Publication number (International publication number)：1999135857
Application date： Oct. 30, 1997
Publication date： May. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】 磁気ヘッドや磁気メモリに必要な抵抗値及び電流密度を備え、高感度でしかも安定に信号磁界を検出できる磁気抵抗効果素子を制御よく得る。【解決手段】 反強磁性層11により交換結合磁界を付与した強磁性層(固定層)12と、トンネルバリア層14を介して薄い高分極率膜15及び軟磁性膜16の二層膜からなる強磁性層(フリー層)13とで基本構造が形成されている磁気抵抗効果素子。

Claim (excerpt)：

強磁性層の間にトンネルバリア層を挟んだ強磁性トンネル接合の構造を有し、一方の強磁性層の外側に反強磁性層を配置した磁気抵抗効果素子において、少なくとも反強磁性層と接していない方の強磁性層がトンネルバリア層側に薄い高分極率膜を備えた軟磁性膜で構成されることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16

FI (3)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 薄膜磁気ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-036767   Applicant：松下電器産業株式会社
• 磁気センサー及びこの磁気センサーを使用した装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-268732   Applicant：富士通株式会社