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J-GLOBAL ID：200903071884303168

シリコンウエハの熱処理方法

Inventor： 森島 和宏 ,  栗原 誠司
Applicant, Patent owner： 東芝セラミツクス株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991314617
Publication number (International publication number)：1993152230
Application date： Nov. 28, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】還元性ガス雰囲気中での熱処理によりシリコンウェハのOSFの発生を抑制しながら、熱処理中のウェハの落下事故や、ウェハの局所的なエッチングを防止できる熱処理方法を提供する。【構成】シリコンウェハをシリコン製のボートに載せ、水素を含有する還元性ガス雰囲気中、1000〜1300°Cで熱処理する。

Claim (excerpt)：

シリコンウェハをシリコン製のボートに載せ、還元性ガス雰囲気中、1000〜1300°Cで熱処理することを特徴とするシリコンウェハの熱処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/22 ,  H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭57-148344