Pat

J-GLOBAL ID：200903071901688443

半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： 宮本 孝章
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992131834
Publication number (International publication number)：1993304108
Application date： Apr. 24, 1992
Publication date： Nov. 16, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 基板上に絶縁領域を有するとともに、基板上に高融点金属シリサイドを形成した半導体装置について、基板の結晶欠陥発生を低減し、これが原因となるリーク電流等の低減をはかることができる半導体装置の構造を提供し、またその製造方法を提供する。【構成】 ?@基板上に絶縁領域と高融点金属シリサイドを形成した半導体装置において、高融点金属シリサイドは、絶縁領域の少なくともいずれかと離間して形成した半導体装置。?A絶縁領域2,31,32の少なくともいずれかの周辺にシリサイド形成阻止部7を形成し、その後高融点金属シリサイド42を形成する、基板上に絶縁領域と高融点金属シリサイドを形成した半導体装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

基板上に絶縁領域を有するとともに、基板上に高融点金属シリサイドを形成した半導体装置において、前記高融点金属シリサイドは、前記絶縁領域の少なくともいずれかと離間して形成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 29/784