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J-GLOBAL ID：200903071906639963

半導体装置の製造方法

Inventor：
東田 敬行

About 東田 敬行


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997041798
Publication number (International publication number)：1998242117
Application date： Feb. 26, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：
【要約】【課題】 ARCエッチング時に被エッチング膜もエッチングされ段差が生じているようなときに、プロセス的には被エッチング膜の膜厚が薄くなっているため終点検出信号が十分に取れず、基板までエッチングしてしまう。【解決手段】 まず、シリコン基板1上にゲート酸化膜2、ロコス酸化膜3を形成する。その上に、ポリシリコン膜4を形成する。次に、ポリシリコン膜4上にARC膜5を形成する。続いて、ARC膜5上にフォトレジスト6をスピン塗布する。露光、現像によって、フォトレジストパターン7を形成する。次に、ウエハをECRエッチング装置で、エッチングガスが酸素(O2)と塩素(Cl2)との混合ガスとし、ウエハ温度が、塩素ガスとARC又はレジストの反応によって生じるCCl系の物質が昇課せず、デポ物となるような温度でエッチングを行い、エッチ後ARCパターン8を得る。この後、フォトレジストパターン17をマスクに通常の条件でポリシリコン膜14をエッチングする。
Claim (excerpt)：
ウエハ上に形成された下地からの反射を防止する有機性の反射防止膜を、レジストマスクを用いて、ドライエッチングするを有する半導体装置の製造方法において、ウエハ温度を、塩素ガスと被エッチング材料との反応の結果生成される物質が堆積するような温度に保持し、塩素と酸素とからなるエッチングガス又は塩素と酸素とを含むエッチングガスを用いることを特徴とする、半導体装置の製造方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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