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J-GLOBAL ID：200903071911320223

高周波高出力増幅装置

Inventor： 村口 正弘 ,  相川 正義
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 菅 隆彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992055090
Publication number (International publication number)：1993259765
Application date： Mar. 13, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】小型にして、低出力時においても高出力時と同等の高効率を安定に実現することができる高周波における高出力増幅装置を提供する。【構成】ソース接地型FET4a〜4nのドレイン端子とゲート接地型FET14a〜14nのソース端子を互いに接続したカスコード接続増幅素子15a〜15nを複数個設け、当該複数のカスコード接続増幅素子15a〜15nのそれぞれソース接地型FET4a〜4nのゲート端子同士を互いに接続して1つの入力端子6aとしかつゲート接地型FET14a〜14nのドレイン端子同士を互いに接続して1つの出力端子7aとして複数多段に並列した各カスコード接続増幅素子15a〜15nのゲート接地型FET4a〜4nのゲート端子8a〜8nが個別に電圧を付与自在としたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

ソース接地型FETのドレイン端子とゲート接地型FETのソース端子を互いに接続したカスコード接続増幅素子を複数個設け、当該複数のカスコード接続増幅素子のそれぞれ前記ソース接地型FETのゲート端子同士を互いに接続して1つの入力端子としかつ前記ゲート接地型FETのドレイン端子同士を互いに接続して1つの出力端子として複数多段に並列した前記各カスコード接続増幅素子の前記ゲート接地型FETのゲート端子が個別に電圧を付与自在としたことを特徴とする高周波高出力増幅装置

IPC (2)：

H03F 3/68 ,  H03F 3/191