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J-GLOBAL ID：200903071921587260
プラズマ処理装置及び方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高矢 諭 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992141859
Publication number (International publication number)：1993326452
Application date： Jun. 03, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：
【要約】【目的】 被処理体の面積が大きい場合でも、該被処理体に対する中性粒子のみによるプラズマ処理を高精度で行う。【構成】 プラズマ室20と、電荷交換室22と、処理室24とを備えたエッチング装置で、電荷交換室22と処理室24との間を、微細な直線状に伸びるマイクロチャネル孔34Aを有する多孔板34で仕切る。プラズマ室20で生成した正イオンは、電荷交換室22で加速電極26で加速され、且つ電荷交換され、中性粒子としてマイクロチャネル孔34Aを通して処理室24に導入される。中性粒子は、マイクロチャネル孔34Aにより完全に方向が揃った中性粒子ビームとして被処理体Sに垂直に入射される。多孔板34を被処理体Sに応じた大きさにすることにより、面積の大きな被処理体Sをも高精度にエッチングすることができる。
Claim (excerpt)：
プラズマ発生手段を有するプラズマ室と、該プラズマ室で生成したイオンを中性化する電荷交換室と、該電荷交換室で中性化された中性粒子を照射して被処理体を処理する処理室とを備えたプラズマ処理装置において、上記電荷交換室と上記処理室とが多孔板で仕切られ、上記多孔板が、電荷交換室から処理室へ微小粒子を通過させる多数の直線状のマイクロチャネル孔を有していることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H01L 21/205
